阈值电压计算公式，cmos的阈值电压

1：列出Un,Up的计算公式；

2：使Un=Up，计算Ui，该Ui就是阈值电压；1：列出Un,Up的计算公式；

2：使Un=Up，计算Ui，该Ui就是阈值电压；1：列出Un,Up的计算公式；

2：使Un=Up，计算Ui，该Ui就是阈值电压；1：列出Un,Up的计算公式；

2：使Un=Up，计算Ui，该Ui就是阈值电压；

CMOS反相器P管的宽长比比N管的大的因素是：这是和载流子相关，P管是空穴导电，N管电子导电，电子的迁移率大于空穴，同样的电场下，N管的电流大于P管，因为这个原因要增大P管的宽长比，促使其对称，这样才可以让两者上升时间下降时间相等、高低电平的噪声容限一样、充电放电时间相等。CMOS反相器的特点是：

(1) 静态功耗极低。在稳定时，CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ，总有一个MOS管处于结束状态，流过的电流为极小的漏电流。(2) 抗干扰能力很强。因为其阈值电平近似为0.5VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，故此，低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力提高。(3) 电源利用率高。VOH=VDD，同时因为阈值电压随VDD变化而变化，故此，允许VDD有较宽的变化范围，大多数情况下为+3～+18V。(4) 输入阻抗高，带负载能力强。

就是比较器的正相，不是有零漂那，意思就是比零漂大点，0.25就是vcc分压而来的

比如，针对耗尽型n-MOSFET，在栅电压为0时即存在电子导电的沟道，就是线性导通状态；唯有加上一定的栅极电压（负电压）后才可以使沟道消失（整个沟道夹断），这时的栅电压称为”夹断电压”Vp，其实就是常说的耗尽型FET的阈值电压，当“源漏电压Vds≥夹断电压Vp减去栅源电压Vgs”时，沟道也就是在靠近漏极处被夹断，晶体管就进入饱和导通状态，输出电流大、并饱和，同时跨导也高-放大工作区。 值得注意，FET在饱和状态时沟道的夹断与没有沟道是两回事。沟道在漏端被夹断后，并非不可以导电，因为夹断区其实就是一个存在电场的耗尽区，只要载流子（多数载流子）一到达耗尽区边缘，就马上被电场扫到集电极而输出电流。

故此沟道在一端被夹断后的导电性能将更好（导电性决计划于未被夹断的部分沟道），这与完全没有沟道的结束状态完全不一样。

针对JFET，其线性导通和饱和导通的情况与MOSFET的一样。

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8，过驱动电压为Vgs减Vth

第一应该清楚什么是阈值电压吧，一种定义是为了让mos管沟道中形成强反型层时栅上所加的电压。

以nmos作为例子，其阈值电压（Vth）=0.7V，而亚阈值区就是为了让mos管沟道中形成反型层但是，还没有形成强的反型层，即当所加栅源间电压VgsVth，但是，Vgs不可以太小，不然mos管就结束了。

阈值电压决定555IC定时器输出电压的翻转时刻。把555IC输出端或辅助输出端的电压反馈到电压控制输入端,形成输出的数字信号反馈,使内部2个比较器的阈值电压随之浮动。

利用反馈使阈值电压自浮动的原理,可以在不改变外部时间常数的情况下,把555IC的定时时间延长3倍左右,

MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面产生强反型、以此产生导电沟道时所需加的栅源电压。因为刚产生强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因为这个原因，漏电流也比较小。

在实质上应用中时常规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用的视角讲，期望阈值电压Vm小一部分好。阈值电压是决定MOSFET能不能导通的临界栅源电压，因为这个原因，它是MOSFET的很重要参数。