是初级玩法中的角块归位公式这条公式我建议拆开 好记 RB‘R F2 R’BR F2 R2翻译过来是 R右面顺 B'后面逆 R右面顺 F2前面180度 R'右面逆 B后面顺 R右面顺 F2前面180度 R2右面180度
三极管发射结电阻rbe=rbb`+rb`e=300+(1+β)26mV/Ie 这当中rbb`对高频管一般取200Ω甚至更低,低频管取300Ω,卷子注明rbb`数值就取其数值,没注明可自定,大多数情况下误差均小于百分之10。
三极管发射结电阻rbe=rbb`+rb`e=300+(1+β)26mV/Ie 这当中rbb`对高频管一般取200Ω甚至更低,低频管取300Ω,卷子注明rbb`数值就取其数值,没注明可自定,大多数情况下误差均小于百分之10。
rbe 由基区电阻rbb,发射结电阻rbe,发射区电阻re组成,rbb大多数情况下几十到几百欧姆,可以查手册,re大多数情况下几欧姆可以忽视不计.故此,rbe=Ube/Ib=(Ubb+Ube)/Ib=rbb+Ie/Ib*rbe, 这当中rbe=UT/Ie.故此, rbe=rbb+(1+β)UT/IE 常温下UT大多数情况下为26mV.
rbe=Ube/Ib. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe经常会用到一下公式计算:r=200Ω+(β+1)*26(mV)/IE(mV).
Rb=β(4.5V-0.7V)/(Ic)单位kΩ公式中4.5V为施密特触发器输出高电平日间对应的电压值,0.7V为三极管基极和发射极当中PN结上电压降Ube,Ic为集电极电流单位mA,则计算出来的Rb单位为KΩ
各放大器设计计算公式明显不同,以基本共射放大器作为例子,简单谈一下。第1个步骤,按照负载电阻RL根据效率大原则确定安伏变换器Rc,详细公式Rc=RL;第2个步骤,按照Rc、RL及β计算基极偏置电阻Rb,详细公式Rb(critical)=β(Rc+Rc//RL) ,这当中Rc//RL=RL,表示Rc与RL的并联电阻,critical表示临界的。比如,已知β=100,Rc=RL=1kΩ,可以计算基极偏置电阻RbRb(critical)=100×(1kΩ+1kΩ//1kΩ)=150kΩ。假设β已知或测量到了,则不需要任何调整。公式来源:元增民《模拟电子技术》不清楚是不是满足口味,如有不一样意见请指正。
将红色那面的顶层向左转,转到黄色那面,然后黄色那面面对你,扭这个公式:RBRF2RBRF2R2若还是不行,在重复一遍这个公式
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