ESD与EOS的区别，eos与esd失效机理

ESD与EOS的区别？

EOS：Electrical?Over?Stress-指全部的过度电性应力。超越其大指定极限后，器件功能会减弱或损坏。

ESD：Electrical?Static?Discharge-静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。

EOS一般出现于电源测试装置，其过程可持续可能是几微秒到几秒。因为静态电荷导致，

ESD属于EOS的特例，因为静态电荷导致。其过程可持续为几皮秒到几纳秒，其可见性不强。

eos和esd失效怎么判断？

ESD的失效模式分为硬击穿和软击穿;ESD和EOS的区别请看下方具体内容:

EOS

1.典型地,由电源和测试设备出现

2.事件可持续在微秒~秒级. (也许是毫微秒)

3.损坏的情况涵盖金属线熔化、发热、高功率、閂锁效应

4.短的EOS脉冲损坏给人的印象像ESD损坏

ESD

1.ESD已经包含EOS，有限的能量,由静电荷导致

2.事件可持续在微微秒~毫微秒级

3.其可见性不强损坏位置不易发现

4.一般致使电晶体级别的损坏。

设备eos时间是什么意思？

EOS：Electrical?Over?Stress-指全部的过度电性应力。超越其大指定极限后，器件功能会减弱或损坏。　　ESD：Electrical?Static?Discharge-静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。　　EOS一般出现于电源测试装置，其过程可持续可能是几微秒到几秒。因为静态电荷导致，　　ESD属于EOS的特例，因为静态电荷导致。其过程可持续为几皮秒到几纳秒，其可见性不强。

latchup效应？

Latchup效应是一种半导体器件中的不良情况，它可能会造成器件失效。当器件中的PN结或MOSFET管内部有相互连接的PNPN结构时，假设外部电路中的电压或电流超越一定值，就可以致使PNPN结构中的PNP晶体管和NPN晶体管同时导通，形成一个正反馈环路，以此使整个器件失效。

这样的情况被称为Latchup效应，因为但凡是器件失效，它就可以一直保持在失效状态，直到外部电源被关闭或者器件被替换。为了不要Latchup效应，一定要在设计和制造途中采用一系列措施，比如增多器件的抗干扰能力，采取特殊的结构和工艺等。

Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管（BJT处于放大状态的条件：发射结正偏，集电结反偏）组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而出现大电流,还因为正反馈电路的存在而形成闩锁,致使CMOS集成电路没办法正常工作,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构出现的。

闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一个重要的问题，这样的问题可能会造成芯片功能的混乱或者电路直接没办法工作甚至烧毁。

简介

闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重可能会造成电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构出现的，当这当中一个三极管正偏时，就可以构成正反馈形成闩锁。不要闩锁的方式就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件出现影响。ESD 和有关的电压瞬变都会导致闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的重要因素之一。假设有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就可以因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会因为大电流而损坏，并会因为浪涌电流导致的过热而形成开路。那就是这里说的的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地当中形成短路，导致大电流、EOS（电过载）和器件损坏。

ƒ Latch up 是指cmos晶片中，在电源power VDD和地线 GND(VSS)当中因为寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而出现的一低阻抗通路。

latchup意思是封锁，封锁效应。

x线安全保护电路有哪三种？

一，过流保护（over current）

是当电流过大时自动断电，防止电路中的元器件因超越额定电流而导致的损坏。

过压保护(Over-Voltage Protection)

主要是防止过电压或静电放电(Discharge Suppression)对电子元器件的损坏，被广泛地应用于电话号码机、传真机及高速传输接口(USB,IEEE1394,HDMI,SATA)等各自不同的电子系统产品，特别是电子通讯设备（手机或其他可传输信号的设备）,针对如何不要因为电压异常(Over-Voltage or EOS(Electrical Over-Stress))或静电放电(ESD)而对电子备导致伤害损失特别重要。

二，过温保护（OT）

温度保护组件从商品化到目前，已经走过了一个甲子，现在过温保护组件广泛运用于对温度有特殊要求的场合，这种类型保护组件根据作动原理可分为化学药品作动型、低温合金作动型，这当中化学药品作动型产品的主要特点是可以做低温型产品（现在有做到48℃），但结构较为复杂，成本非常高；低温合金型作动主要是一根直径很大的低温熔丝起导通作用，一定要保证在通过额定电流出现的热量不会使熔丝熔化，此低温熔丝大多数情况下是通过调节锡（Sn）、铜（Cu）、银（Ag）、铋（Bi）、铟（In）等成份的比例来调节其熔点。

三，过温过流保护（TFR）

近几年来，随着应用的提高, 纯粹的温度保护功能, 已不可以满足日新月异电器、电机、马达及3C产品安全保护的需求, 因为这个原因再研发出能因应因温度、电流及电压异常情况下同时监控并及时保护的组件, 而此样组件的兴起主要以锂离子电池及锂高分子电池为大应用。

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