纯净绝缘油与一般含有杂质的绝缘油具有不一样的击穿机理。前者的击穿是因为游离所导致,可用气体电介质击穿的机理来解释,也就是在高电场强度下,油分子碰撞游离成正离子和电子,进一步形成了电子崩。
电子崩向阳极发展,而累积的正电荷则聚集在阴极附近,后形成一个具有高电导的入口通道,致使绝缘油的击穿。
一般绝缘油总是多多少少含有杂质,在这样的情况下,杂质是导致绝缘油击穿的重要因素。
电容器接到电源时,其实自由电荷未通过两极间的绝缘介质,直流电不可以通过电容器。而交流电,因为累积在两极板上的电荷出现变化,导致两极板间的电压变化,当电压升高时,电荷向电容器的极板上聚集,形成充电电流;当电压降低时,电荷离开极板,形成放电电流。
电容器交叉替换进行充电和放电,电路中就有了电流,表现为交流“通过”了电容器。因为这个原因电容器具有通交流阻直流,通高频阻低频的作用。
扩展资料:
电容器由两端的极板和中间的绝缘电介质(涵盖空气)构成的。通电后,极板带电,形成电压(电势差),但是,因为中间的绝缘物质,故此,整个电容器是不导电的。不过,这样的情况是在没有超越电容器的临界电压(击穿电压)的前提条件下的。
任何物质都是相对绝缘的,当物质两端的电压加大到相对的程度后,物质都是可以导电的,这个电压称为击穿电压。电容也不例外,电容被击穿后,就不是绝缘体了。然而,这样的电压在电路中是见不到的,故此,全部在击穿电压以下工作的,可以被当做绝缘体看。
参考资料来源:
pn结击穿:
1、随外加反向电压增多,使pn结内部电场过强,破坏共价键而把电子强行拉出,出现非常多的电子空穴对,使少数载流子急剧上升而击穿,这样的情况称齐纳击穿。
2、强电场使电子高速运动与原子碰撞,出现新的电子空穴对,连锁反应导致载流子数目剧增而击穿,这样的情况称雪崩击穿。
有两种,雪崩击穿和齐纳击穿
雪崩击穿:当PN结反向电压增多时,空间电荷区中的电场随着提高。这样,通过空间电荷区的电子和空穴,就可以在电场作用下取得的能量增大,在晶体中运动的电子和空穴将持续性地与晶体原子又出现碰撞,当电子和空穴的能量足够大时,通过这样的碰撞能够让共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新出现的电子和空穴也向相反的方向运动,重新取得能量,又可以通过碰撞,再出现电子–空穴对,那就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后,载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上出现雪崩一样,载流子增多得多而快,这样,反向电流剧增,PN结就出现雪崩击穿。
齐纳击穿:在加有非常高的反向电压下,PN结空间电荷区中存一个强电场,它可以破坏共价键,将束缚电子分离出来出现电子–空穴对,形成很大的反向电流。出现齐纳击穿需的电场强度约为2×105V/cm,这唯有在杂质浓度特别大的PN结中才可以达到。因为杂质浓度大,空间电荷区内电荷密度(即杂质离子)也大,因而空间电荷区很窄,电场强度可能很高。
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