航空发动机工程样机到量产的时间，铭普光磁400g光模块投产了吗

航空发动机工程样机到量产时间？

十年左右。

飞机发动机首飞到量产要十年，经过 的试飞一款发动机才真正可以作为量产使用，发动机是一种可以把形式的能转化为机械能的机器，动机早诞生在英国，故此发动机的概念也源自于英语是指那种出现动力的机械装置。

发动机工程样机到量产需十年时间。

一款航空发动机至少需十年的飞行参数作为累积和参考，在这里这个时间段也要持续性进行调试和完善，把这款发动机力求调校得更的优越和成熟。

唯有达到了飞行十年左右的发动机，才能够算安全高效的成熟发动机，才真正可以作为量产使用。

铭普光磁800g光模块什么时候量产？

暂无确定时间。因为铭普光磁800g光模块现在仍处于研发阶段，还要有进行实验验证、样机测试等一系列工作，因为这个原因没有确定的量产时间。此外量产时间也会受到市场需求、原材料供应等原因的影响。建议持续特别要注意关注官方消息，了解新进展。

马斯克电动飞机具体是什么时候达到的？

现在为止，马斯克并没有发布他或他的公司SpaceX计划研发电动飞机的详细时间表。马斯克旗下的电动汽车公司特斯拉（Tesla）和航天公司SpaceX一直在逐步递次推动持续时间能源技术的研发，但是，有关马斯克研发电动飞机的计划，现在还没有详细的消息或公告信息。不过，马斯克曾在接受采访时表示，他觉得电动飞机是一项很有前途的技术，还将会在未来成为主流。因为这个原因，他可能会在未来的某个时间点开始研发电动飞机，但详细时间还要有等着有关消息的公布。

现在暂时还没有达到马斯克电动飞机因为马斯克电动飞机的概念还处于理论研究和计划设计阶段，未来也需经过各自不同的测试和实验才可以真正落地达到。假设马斯克电动飞机技术得到突破，将会非常大地改变航空工业的格局，达到更环保和高效的空中交通运输方法，带来更便利和舒适的旅行体验。

特斯拉电动汽车已经量产，电动飞机现在还在实验阶段，样机都没有。需时间。

光刻机各个发展阶段的尺寸？

90年代前半期，光刻启动使用波长365nm i－line，后半期启动使用248nm的KrF激光。激光的可用波长就既然如此那，哪些，00年代光刻启动使用193nm波长的DUV激光，那就是著名的ArF准分子激光，涵盖近视眼手术在内的各种应用都应用这样的激光，有关激光出现器和光学镜片等都比较成熟。

但谁也没想到，光刻光源被卡在193nm没办法进步长达 。直到今天，我们用的全部手机电脑主芯片仍旧是193nm光源光刻出来的。

90年代末，科学家和产业界提出了各自不同的超越193nm的方案，这当中涵盖157nm F2激光，电子束投射（EPL），离子投射（IPL）、EUV（13.5nm）和X光，并形成了以下几大阵营：

157nmF2：每家都研究，但SVG和尼康离产品化近。

157nm光会被现有193nm机器用的镜片吸收，光刻胶也要重新研制，故此，改造难度非常大，而对193nm的波长进步唯有不到25％，研发投入产出比太低。ASML收购SVG后获取了反射技术， 终于出品了157nm机器，但错过时间窗口各方面都不如于低成本的浸入式193nm。

13.5nmEUV LLC：英特尔，AMD，摩托罗拉和美国能源部。ASML、英飞凌和Micron后来加入。

有关EUV，我放到后面在说吧。

1nm接近式X光：日本阵营（ASET， Mitsubishi， NEC， Toshiba， NTT）和 IBM

这算是个浪漫阵营吧，各位考生就没想过产业化的事

0.004nmEBDW或EPL： 朗讯Bell实验室，IBM，尼康。ASML和应用材料被邀请加入后又第一个退出。

这是尼康和ASML对决的选择，尼康试图直接跨越到未来技术击败ASML，但可惜这个决战应该出现在 而不是 ，尼康没有选错技术但是，选错了时间。尼康重要，要优先集中精力的技术盟友IBM在 也分心加入了EUV联盟。

0.00005nmIPL： 英飞凌、欧盟。ASML和莱卡等公司也有参加。

离子光刻从波长来看是浪漫的，然而，光刻分辨率不光由波长决定，还需要看NA。人类现有科技可用离子光刻的光学系统NA是0.00001，比193nm的NA＝0.5～1.5刚好差10万倍，优势被抵消了。

以上全部努力，基本上都失败了。

它们败给了一个工程上简单的处理办法，在晶圆光刻胶上方加1mm厚的水。水可以把193nm的光波长折射成134nm。

浸入式光刻成功翻越了157nm大关，直接做到半周期65nm。加上后来持续性改进的高NA镜头、多光罩、FinFET、Pitch－split、波段灵敏的光刻胶等技术，浸入式193nm光刻机一直做到今天的7nm（苹果A12和华为麒麟980）。

台积电的林本坚博士在一次研讨会上提出了浸入式193nm的方案，这之后ASML在一年时间内就开发出样机，充分证明了该方案的工程友好性。

这之后，台积电也是第一家达到浸入式量产的公司，这之后终于追上以前制程技术遥遥领先的英特尔，林博士因为这个原因取得了崇高的荣誉和各自不同的奖项。

MIT的林肯实验室似乎不服气，他们觉得自己在 就提出了这个浸入式方案。ASML似乎也没有在任何书面说明自己开发是受林博士启发。

实际上油浸镜头改变折射率的方法由来已久，产业界争论是谁的想法在先压根不重要，行胜于言。林博士的奉献是台积电和ASML通力合作把想法变成了现实。

吉利18T发动机是哪年装车的？

装车的

上海车展上，吉利曾展出过一款代号为JLE-4G18TD的直喷涡轮增压发动机，搭载在博瑞18t车型上的量产型4G18TD发动机，在动力指标上与 所展示的样机相比产生一定幅度的下调。调整后的发动机大功率为163Ps（120kW)，大扭矩为250N·m。

长春光机所研发EUV光刻机是真的吗？

长春光机所的EUV光刻机在国内尚属于前沿水平，进展值得特别要注意关注。EUV光刻机作为半导体制造领域的重要设备，可以达到更精细尺寸、更高集成度、更低功耗的芯片制造。

长春光机所开发的EUV光刻机主要应用于高端芯片制造领域，如5G、AI、物联网等，具有广泛的应用前景。

长春光机所已成为全球少数几家掌握并熟悉EUV核心技术的企业之一，有期望在未来的市场竞争中取得优势地位。

是真的

4月13日下午，中国科学院院士中国科学院前院长白春礼到长春光机所大数据细分研究，对其研制成功EUV光刻机重要部件-EUV光源工程化样机表示高度肯定。根据我们国内惯例，某一个高科技产品量产前，一定要要先通过了内部测试，才会邀请领导来大数据细分研究，假设只是组装好，但没测试过，断然是不会邀请领导来大数据细分研究的。

EUV光刻机是半导体制程工艺曝光环节所需的重要设备是5纳米及更先进制程工艺一定不可以缺少的重点设备。因为超高的技术难度，现在世界上没有任何一个国家可以依靠自己的技术独自造出这样的设备，而荷兰ASML生产的EUV设备所需的重点零部件大多也是从美国、德国等发达国家进口的。正是因为缺乏先进光刻机，我们国内的制程工艺发展才会举步维艰，不含美国技术的“非A”IC生产线制程工艺只可以做到14纳米水平，纯国产IC生产线制程工艺只可以做到45纳米水平。

极紫外光刻机重要技术大部分都集中在三方面。

极紫外光刻机简称EUV，技术难点大部分都集中在三方面：如何出现极紫外光线，如何集中极紫外光线，如何高效率利用集中后的极紫外光线来曝光硅晶圆。

很早就有人提出这样的设备的研制构想，然而，却因光源迟迟很难实用，致使整机一直没办法商用，直到 荷兰ASML才造出IF点功率达到100瓦的EUV光刻机NXT3100，初步达到商用门槛。因为这样的设备出现的极紫外光线波长太短，仅13.5nm，很难在相当大一部分介质中低损耗传播，这个问题就致使这样的设备只可以在真空状态下工作，还没办法通过透射原理集中光线。相比之下，DUV光刻机采取的是波长为193纳米的深紫外光线，在空气和透镜中传播损耗较小，不需要放置在真空舱室内。

为出现极紫外光，需把极紫外光线出现设备放在真空舱室内。为处理极紫外光集中难题，科研人员另辟蹊径，采取“弧形镜面反射原理”集中极紫外光刻机，处理了集中难题。而真空双工件台则是为了处理硅晶圆超高精度定位难题，以便尽量提升曝光效率。

简来说之，想要造出EUV光刻机，第一要造出真空度很高的真空舱室，但更为重要的是要造出EUV光源、高精度弧形反射镜系统、超高精度真空双工件台等三大重要零部件。

除了荷兰之外，日本是接近研制出整机EUV光刻机的国家，却也因为技术难度太大，现在卡在超高精度真空双工件台上面，而我们国内则卡在EUV光源上面。

出乎大部分人的意料，我们国内竟然很早的时候就突破了高精度弧形反射镜和超高精度真空双工件台。

1、高精度弧形反射镜系统

我们国内用于EUV的高精度弧形反射镜系统有关专利也很多，有兴趣可自行搜索，这说明研究已经很深入了。设计很重要，但更重要的是如何制造？据了解，决定反射镜精度的重要原因是反射镜的镀膜精度，要求达到0.1纳米以内。

其实，早在 ，我们国内长春光机所就已经研制出用于EUV的高精度弧形反射镜系统，这当中，多层镀膜面形误差小于0.1nmRMS。据了解，当时用于镀膜的设备并不是国产，但现目前连镀膜设备我们国内也自行处理了！

7月，中科科仪控股公司中科科美成功研制出直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米集中镜镀膜装置，其镀膜精度可以控制在0.1纳米以内的水准，距离ASML现有EUV的反射镜镀膜精度0.05纳米以内的水准已经十分接近。现目前1年多时间过去了，将镀膜精度继续提高到0.05纳米也是有可能的。

9月结题的《六镜极紫外光刻投影物镜研发与验证》证实我们国内突破了高精度弧形反射镜系统。

2、超高精度真空双工件台

据了解，双工件台的移动精度由激光干涉仪或者平面光栅决定。

3月7日，哈工大光刻机技术又传出新的喜讯：真空用超高精度激光干涉仪在某用户单位成功初试，位移分辨力5pm，位移测量标准差达到30pm。重要指标与ASML高水平接近，足以满足EUV真空双工件台对高速超精密激光干涉仪的精度要求。



哈工官网于 3月7日公布的消息

“真空用”三个字说明它面向的是比DUVi更先进的EUV设备所需的真空双工件台。其实，此前荣获“金燧奖”，用于28纳米节点DUVi的超高精度激光干涉仪的位移分辨率也只可以达到77pm。现目前这款真空用超高精度激光干涉仪分辨率直接提高15.4倍，已经大幅度超越EUV设备双工件台针对干涉仪的分辨率要求了！

随着长春光机所突破EUV光源技术，标志着我们国内已经突破EUV光刻机“核心中的核心”技术。

EUV光源被称为“核心中的核心”，其工作原理是，一束输出功率达20千瓦以上、波长为10.6μm的高功率激光束以10万次/秒的频率轰击以5万次/秒落下、速度误差达到微米级别、直径为30 μm的锡滴，出现极紫外光，再通过收集镜集中得到IF点功率达250瓦以上的极紫外光。这当中激光还需要保证精准轰击每滴锡滴2次。除开这点，还要有采用措施实时收集锡滴碎片，不要污染收集镜。

可以想象这样的零部件对精度、稳定性的要求有多么苛刻。而假设要商用，就一定要保证光源具有很长寿命，可以保证24小时持续工作而不会损坏。也难怪我们国内研制的EUV光刻机会被卡在EUV光源这个重要零部件上。

现目前，国产EUV光源的好消息终于传来！

据“中国科学院长春光学精密机械与物理研究所”官网报道， 4月13日下午，中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼到长春光机所大数据细分研究。在金宏书记的陪同下，白春礼先后参观了高通量基因测序仪、EUV光源、02专项等科技创新成果及研究进展，并就有关技术问题与科技人员进行了深入交流。白春礼对长春光机所光电重要核心技术攻关所获取的成绩给予了高度肯定，期望长春光机所继续发挥优良传统，为提高处理光电领域“卡脖子”问题努力作出新的更大奉献。

既然如此那，这则新闻中提到的EUV光源究竟是原理样机还是工程样机呢？

这里给各位考生一个肯定的答案：工程样机！

这里说的工程样机是指面向商用研制的1:1样机，在通过验收后完全就能够直接量产，交付客户使用。

7月4日，中国科学院光电技术研究所在其官网上公布一篇名为《光电所担负的国家02专项项目“极紫外光刻重要技术研究”课题顺利通过验收》的报道，文中提到，专家组充分肯定了课题获取的一系列成果，完全一样同意“极紫外光刻原理实验装置机械与真空系统研制”课题通过验收。

这则新闻无疑证实，早在 我们国内自主研制的EUV原理样机就已经通过验收！既然如此那，上文提到的“EUV光源”明显不可能是原理样机，而是工程样机！

7月10日，一篇名为《根据等离子体管束的LPP-EUV光源系统》的论文证实我们国内早已在研制容易实用的LPP-EUV光源，预估白春礼院士参观的EUV光源样机就是这样的光源！

近，全世界唯一的高端光刻机生产商荷兰ASML总裁Peter Wennink称，中国自主研发光刻机是对全球芯片产业链的“破坏性行为”。老话说，春江未暖鸭先知，有人猜测ASML总裁不出意外的情况大概是获悉我们国内的高端光刻机获取重要技术突破的消息才会这么说。回想几年前，ASML总裁曾公开嘲讽我们国内，就算提供图纸，中国也造不出光刻机。然而，事实正好相反，就算没有图纸，没有技术详细指导，我们国内也照样能造出光刻机。

综合上面所说得出所述，我们国内已经突破EUV所需的三大重要技术，造出可以商用的EUV光刻机只是时间问题。原计划2030年前造出，现目前看来这个节点可大大早一点。假设顺利，可能年底前我们国内就可以造出EUV光刻机工程样机，并在2年内通过验收。

注册会计师备考资料及辅导课程

注册会计师培训班-名师辅导课程

注册会计师备考资料免费下载