禁带宽度怎么计算，原子间距和能带宽度之间的关系

禁带宽度（Bandgap）符号为Eg；导带的低能级和价带的高能级当中的能。固体物理学的量。SI单位:J(焦〔耳〕)。并用的非SI单位:eV(电子伏)。1eV=(1.60217733±0.00000049)×10-19J。

原子间距小，相互管束能力强，致使energy band gap 变大。

禁带宽度为零的是金属,禁带宽度很大(大多数情况下大于4.5 eV)的是绝缘体,禁带宽度居中的是半导体。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度相关。

禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一部分不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就一定要取得足够能量以此跃迁到导带，这个能量的小值就是禁带宽度。

锗的禁带宽度为0.785ev；硅的禁带宽度为1.21ev；砷化镓的禁带宽度为1.424ev。禁带很窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度相关。介于传输与结束当中的临界状态，即由所确定的状态，该状态所确定的频率称为结束频率，该频率所对应的波长称为结束波长。

量子力学证明：当N个原子相接近形成晶体时，因为共有化运动，原来单个原子中每一个允许能级要分裂成 N个与原来能级很接近的新能级。

在实质上的晶体中，因为原子数目N很大，新能级又与原来能级很接近，故此，两个新能级间距离很小（相互间的能级差为10-22） ，基本上可把这一段能级当成是连续的。我们便把这N个能级所具有的能量范围称为“能带”。

不一样的能带当中可以有一定的能量间隔，在这个间隔范围内电子不可以处于稳定状态，其实形成一个能级禁区，称为“禁带”。此间距用禁带宽度 Ev来衡量。

在晶体中，由价电子能级分裂而成的能带叫做“价带”，如某一能带被电子填满，则称之为“满带”，而在未激发情况下无电子填入的能带叫做“空带’，若价带中的电子受激而进入空带，则此空带称为“导带”，同时，价带上因为价电 子激发到导带后留下一部分空着的能级称为“空穴”。 “价带” 和“导带”当中是“禁带”。

cds是一种很重要的半导体材料，其禁带宽度为2.41ev，因为在可见光范围内有着卓越的吸光能力，cds在光催化，太阳能电池，光电化学传感器等各种领域被广泛应用。

然而，cds本身具有毒性，长时间接触会对生物体的呼吸系统、消化系统等出现危害。故此如何高效回收cds，达到cds的循环使用成为了一个需处理的问题。

具有生物相容性的磁性纳米fe3o4有着易操作、易分离、可修饰、低毒性等特点，就其分离效能来说，纳米fe3o4磁分离已成为一项新兴的分离技术。

在磁分离途中，将接有配基的磁性载体直接放入含有目标分离物的混合溶液中，目标分离物与载体紧密结合，然后利用外部磁场进行分离。

磁分离的整个过程不用对混合溶液的ph值、温度、离子强度和介电常数进行调整，以此不要了传统分离途中分离物的损失。

因为这个原因，将fe3o4与cds组成复合纳米材料，这样既能发挥cds的光学特性，又能有效利用fe3o4的超顺磁性达到样品回收的目标。

现在已经报道的四氧化三铁与硫化镉复合纳米材料的组成方式有微波法、微乳化法、沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法等，然而，这些方式大多存在制备过程复杂，能耗高，制作周期长等缺点。

除开这个因素不说，纳米材料的结构，尺寸和形貌等原因都影响着其光学性质的表达效果，而现在方式制备出的fe3o4/cds纳米粒子，在形貌，尺寸还有分散性等方面都存在很大的缺陷。

禁带（forbidden band）是指晶体中相邻两能带间的能量范围。晶体中的电子不可以具有这样的能量。禁带宽度的大小决定了材料是半导体还是绝缘体。目就十分少，以致所导致的导电作用在实质上中可以忽视。

针对半导体，分隔导带与满带的禁带宽度较小，激发电子的数目有点多，完全就能够导电。

因为禁带窄，导带与价带的相互影响就比较严重，寻常温度下热激发的电子浓度高，费米能级比较容易进入导带，一定要用费米-狄拉克统计来处理电子输运过程。

被滤波器所阻挡，不可以通过的频率范围称为禁带。

在室温下大多数情况下是5.47 ev。禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一部分不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），自由空穴存在的能带称为价带（亦能导电）。

被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就一定要取得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的小值就是禁带宽度。