零状态和零输入的一般公式，一阶电路零输入响应的公式

电路完全响应＝零输入响应＋零状态响应＝自由响应＋强迫响应。

RC一阶电路时间常数τ=RC,这当中R为电容或者电感两端的戴维宁等效电阻。

零点就是为了让传递函数分子为零的点 零状态响应是指初始状态为零，对输入所出现的响应 稳定裕量是判断稳定性时，由波特图看出来的，有两种表示形式，相位裕量和幅值裕量。

计算公式：sER=D×K×sHR。

出现某种行为的反应潜能（sER）等于内驱力（D）、诱因（K）和习惯强度（sHR）的乘积。

这个公式表达，反应潜能是由内驱力、诱因、习惯强度的多元乘积决定的。假设D=0或K=0，则sER也等于0而不出现反应。同时，不论驱力水平有多高，在没有形成习惯的情况下也是没有行为反应的。相反，不论习惯强度多高，驱力水平低，反应潜能也低。由此，可以看得出来，赫尔的动机理论主要有两点：1、有机体的活动在于降低或消除内驱力；2、内驱力降低的同时，活动受到强化，因而是促使提升学习可能性的基本条件。

RL串联电路：选择电流矢量为参考矢量，对电阻两端的电压来说其电压矢量与电流矢量的相位差为0，其阻抗为R；对电感两端的电压来说其电压矢量超前于电流矢量π/2相位，其感抗为ωL。综合上面所说得出所述，在RL串联电路中，阻抗为Z=√[R^2+(ωL)^2]电压矢量与电流矢量当中的相位差为arctan[(ωL)/R] RL并联电路：选择电压矢量为参考矢量。

流过电阻的电流矢量与电压矢量的相位差为0；流过电感的电流矢量与电压矢量的相位差为-π/2相位。

对阻抗来说，有1/Z=√[(1/R)^2+(1/ωL)^2]。

电压矢量与电流矢量当中的相位差为arctan[R/(ωL)]

f（t）=f（∞）+【f（∞）-f（0）】e-t/τ

半衰期t=0.693/k k为反应速率常数，针对零级反应，t=c/2k c为反应物的初始浓度。 原子核的衰变规律是：N=No*(1/2)^(t/T) 这当中：No是指初始时刻（t=0）时的原子核数 t为衰变时间，T为半衰期，N是衰变后留下的原子核数。

对，针对一级反应，半衰期t=0.693/k k为反应速率常数，针对零级反应，t=c/2k c为反应物的初始浓度

自发反应的判据公式有：ΔG=ΔGθ+RTlnJ，当J变成平衡常数，于是有：ΔGθ=-RT*ln。当△G=△H-TOS当OG=△H-TAS=0时，反应达到平衡状态。当△G=△H-TOS0时，反应不可以向正反应方向自发进行。