磁阻的计算公式是什么，磁路磁阻公式
磁阻的计算公式是什么？
rm=l/μsrm=磁阻l=磁路长度（m)s=截面积（m^2)μ=磁导率（h/m)
理论与实践均表达，对任何介质施加一磁场H时(该磁场可由外部电流或外部永磁体提供，亦可由永磁体对永磁介质本身提供，由永磁体对永磁介质本身提供的磁场又称退磁场-有关退磁场的概念，见9 Q)，介质内部的磁场强度依然不会等于H，而是表现为H与介质的磁极化强度J之和。因为介质内部的磁场强度是由磁场H通过介质的感应而表现出来的，为与H区别，称之为介质的磁感应强度，记为B： B=μ0H+J （SI单位制）
（1-1） B=H+4πM （CGS单位制）磁感应强度B的单位为T，CGS单位为Gs（1T=104Gs）。
Rm=l/μsRm=磁阻l=磁路长度（m)s=截面积（m^2)μ=磁导率（H/m)
磁阻公式？
阻抗(ohm)=2*3.14159*F(工作频率)*电感量(mH)，
设定需用360ohm阻抗，因为这个原因：
电感量(mH)=阻抗(ohm)÷(2*3.14159)÷F(工作频率)=360÷(2*3.14159)÷7.06=8.116mH
据此可以算出绕线圈数：
圈数=[电感量*{(18*圈直径(吋))+(40*圈长(吋))}]÷圈直径(吋)
圈数=[8.116*{(18*2.047)+(40*3.74)}]÷2.047=19圈
空心电感计算公式
空心电感计算公式：L(mH)=(0.08D.D.N.N)/(3D+9W+10H)
D--线圈直径
N--线圈匝数
d--线径
H-线圈高度
W-线圈宽度
单位分别是毫米和mH。
空心线圈电感量计算公式:
l=(0.01*D*N*N)/(L/D+0.44)
线圈电感量l单位:微亨
线圈直径D单位:cm
线圈匝数N单位:匝
线圈长度L单位:cm
频率电感电容计算公式:
l=25330.3/[(f0*f0)*c]
工作频率:f0单位:MHZ这道题f0=125KHZ=0.125
谐振电容:c单位:PF这道题建义c=500...1000pf可自行先决定,亦或是Q值决定
谐振电感:l单位:微亨
线圈电感的计算公式
1.针对环行CORE，有以下公式可利用:(IRON)
L=N2．ALL=电感值（H)
H-DC=0.4πNI/lN=线圈匝数(圈)
AL=感应系数
H-DC=直流磁化力I=通过电流(A)
l=磁路长度（cm)
l及AL值大小，可参照Microl对照表。
比如:以T50-52材，线圈5圈半，其L值为T50-52(表示OD为0.5英吋)，经查表其AL值约为33nH
L=33．(5.5)2=998.25nH≈1μH
当流过10A电流时，其L值变化可由l=3.74(查表)
H-DC=0.4πNI/l=0.4×3.14×5.5×10/3.74=18.47（查表后）
就可以了解L值下降程度(μi%)
2.讲解一个经验公式
L=(k*μ0*μs*N2*S)/l
这当中
μ0为真空磁导率=4π*10(-7)。（10的负七次方）
μs为线圈内部磁芯的相对磁导率，空心线圈时μs=1
N2为线圈圈数的平方
S线圈的截面积，单位为平方米
l线圈的长度，单位为米
k系数，主要还是看线圈的半径（R)与长度(l)的比值。
计算出的电感量的单位为亨利。
k值表
2R/lk
0.10.96
0.20.92
0.30.88
0.40.85
0.60.79
0.80.74
1.00.69
1.50.6
2.00.52
3.00.43
4.00.37
5.00.32
100.2
磁阻效应公式？
公式：Zm=L/uS。Zm表示磁阻，L表示磁路长度；u表示磁导率，S表示磁路截面积。永磁体提供磁通，经过软磁体连接后在空隙处出现磁场。磁路中的总磁通量是守恒的，但是在空隙处的磁通密度相对降低，因有部分磁通在非空隙处流失，称之为漏磁，致使磁路中的磁阻。
什么是磁阻？
磁阻（magnetic reluctance）是指含有永磁体的磁路中的一个参量。源自于磁路中存在漏磁。利用永磁体来出现一工作磁场时，需有永磁体、高导磁软磁体和一定程度上大小的空隙3个部分，总称为磁路。永磁体提供磁通，经过软磁体连接后在空隙处出现磁场。
磁路中的总磁通量是守恒的，但是在空隙处的磁通密度相对降低，因有部分磁通在非空隙处流失，称之为漏磁，致使磁路中的磁阻。
磁阻是一个与电路中的电阻类似的概念。电流总是沿着电阻小的路径前进；磁通量总是沿着磁阻小的路径前进。磁阻与电阻一样，都是一个标量。
定义
一个磁路中的磁阻等于“磁动势”与磁通量的比值。这个定义可以表示为：

这当中
是磁阻，单位为安培匝每韦伯，或匝数每亨利。
是磁动势，单位为安培匝。
Φ是磁通量，单位为韦伯。
这个定律有的时候，称为霍普金森定律，又被称为磁路欧姆定律。与电路欧姆定律类似。
磁通量总是形成一个闭合回路，但路径与周围物质的磁阻相关。它总是集中于磁阻小的路径。空气和真空的磁阻很大，而容易磁化的物质，比如软铁，则磁阻很低。
针对均匀的磁路，磁阻可以用以下的公式计算：

这当中
l是磁路的长度，单位为米
是真空磁导率，等于亨利每米
是物质的相对磁导率，没有单位
A是磁路的截面面积，单位为平方米
磁导：磁阻的倒数称为磁导。

它的单位是亨利，与电感的单位一样，但两个概念完全不一样。
是指含有永磁体的磁路中的一个参量。源自于磁路中存在漏磁。
“阻”，读音为zǔ，早出现在《说文》中，在六书中属于形声字。“阻”的基本含义为险要的地方，如“马陵道狭，而旁多阻隘，可伏兵”；引申含义为拦挡，如阻挡、阻隔。
在平日使用中，“阻”也常做形容词，表示地形崎岖多阻隔，道路难行，如阻修。
磁阻：就是磁通通过磁路时所受到的阻碍作用，用Rm表示。
磁路中磁阻的大小与磁 路的长度l成正比，与磁路的横截面积S成反比，并与组成磁路的材料性质相关。
巨磁电阻效应的公式？
巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作耗费时长较之无外磁场作耗费时长存在巨大变化的情况。巨磁阻是一种量子力学效应，磁阻效应的一种，出现于层状的磁性薄膜结构，可在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层结构中观察到，这样的结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交叉替换叠合而成。大多数情况下故将他定义为GMR＝这当中（H）为在磁场H作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。
磁阻传感器灵敏度计算公式？
答：磁阻传感器灵敏度计算公式的单位是dB/mW，另一个不经常会用到的是dB/Vrms，即1Vrms电压施于耳机时所出现的声压级。
光电传感器或光眼是一种通过使用光发射器(一般是红外光发射器)和光电接收器来探测物体的距离还有物体是不是存在的设备。光电传感器被广泛应用于工业制造中。光电传感器有三种不一样的经常会用到类型：对射型（透射型）、反光型和近距探测型(漫反射型)。
磁路磁阻与什么参数相关？
磁动势的公式有三个
1.F=Φ·Rm，Φ=B*S（S为与磁场方向垂直的平面的面积），Rm=L/μA（L表示磁路长度，A表示磁路横截面积）。
2.F = N·I，N表示线圈匝数，I表示线圈中的电流大小。
3.F = H·L，(H为磁场强度，与磁密度B和磁路材料等相关） L表示磁路长度。磁阻 Rm=l/μsRm 磁阻l=磁路长度（m)s=截面积（m^2)μ=磁导率（H/m)
磁路气隙截面积计算公式？
铁心截面可看成正方形、铁心截面积为3^2*10^-4 就可以清楚的知道边长为3*10^-4、气隙长度为5*10^-4 故此，气隙边长为3.05^-4、气隙截面面积自然是3.05^2*10-4。变压器（电抗器）留气隙是为了防止在工作中出现磁饱和。 气隙的定义： 变压器都是由硅钢片拼成的，两个对着的硅钢片当中的间隙叫气隙。 气隙是在铁芯交合处留的缝隙，和绕线无关。扩展资料：磁路的气隙截面面积讲解：主磁通是经过转子的定子磁力线，可以在旋转的电枢绕组中感应出电动势，并出现电磁转矩；漏磁通也是定子发出的闭合磁力线，但不经过转子，因为这个原因这部分磁力线不做功，不出现电动势和电磁转矩。气隙磁场出现漏磁通的！电枢反应 对称负载时，电枢磁动势对主极磁场基波出现的影响，这样的情况称为电枢反应。 当电枢绕组中没有电流通过时，由磁极所形成的磁场称为主磁场，近似按正弦规律定义：1，磁势，对应于电路里的电压=N（线圈匝数）*I（电流）。2. 磁阻，对应于电路里面的电阻 Rm=l(磁路长度）*A（截面积）/μ(磁导率）
本例中，空气部分下标为1，磁铁部分下标为2。得到Rm1=4*A/μ0(空气磁导率）Rm2=（40+104）*2(铁心磁路长度，忽视那4mm气隙吧)*A/μr(铁心相对磁导率)*μ0这个方向假设μr=3000可得到：Rm1/Rm2=4/(288/3000)=41.67其实就是常说的说针对1000*3=3000（安匝）的磁势。有41.67/(1+41.67)=97.66%的部分落在了气隙上，那就是上面为什么说铁心部分可以忽视的因素。然后，我们来计算空气中的磁感应强度吧B=μ0*H=N1*I/L=4*PI()*1e-7*1000*3*97.66%/(4/1000)=0.92(T)磁动势MMF=磁场强度H*磁路长度L。按照H=B/u. Φ=B*S、我们可得 F=(L/u*S)* Φ、大家喜欢把它转换为以下形式：F=R* Φ这样磁阻R=L/(u*S). 那就是磁路的欧姆定律。把磁动势F比作电动势；把磁通Φ比作电流；把磁阻比作电阻。这样就有了F=H*L=N*I=R* Φ 。
