光电效应饱和电流计算公式，饱和电流的推导过程

光电效应公式：hv=Ek+W。电流公式：I=Q/t。单位时间内通过导体横截面的电荷量，叫电流。一般用I代表电流，表达式I=Q/t，电流的单位是安培。

自然有不少种承载电荷的载子，比如，导电体内可移动的电子、电解液内的离子、电浆内的电子和离子、强子内的夸克。这些载子的移动，形成了电流。

饱和光电流公式计算公式：I=ne/t，光电效应的光电流，金属物体在光的照射抄下发射电子，使金属带正电的情况叫光电效应，发射出的电子叫光电子，不少光袭电子形成的电流叫光电流

饱和电流 大多数情况下是指电感值对比初始值衰减 百分之30（一部分厂家是 百分之10，百分之40）的偏置电流。

饱和电流为什么会存在呢？

电感大多数情况下都含有磁芯，非常是功率电感，磁芯是存在磁饱和的。什么是磁饱和呢？因为磁芯材料自己的特性，其通过的磁通量是不可以无限增大的。通过一定体积导磁材料的磁通量大到一部分将不可以再增多，不管你再增多电流或匝数，就达到磁饱和了。当电流已经使磁芯饱和，再增多电流，也基本不会再使磁通量增多，或者说增多很少，基本上相当于空心电感的增量，因为饱和后面磁芯失去作用，基本上相当于空心电感。电流增大，而磁通量不增多，既然如此那，电感阻碍电流的作用就没有了，其实就是常说的说电感器失去了作用，这时的磁芯完全饱和。

在入射光一定时，增大光电管两极的正向电压，提升光电子的动能，光电流会随之增大。但光电流不会无限增大，要受到光电子数量的管束，有一个大值，这个值就是饱和电流。

只要光的频率超越某一极限频率，受光照射的金属表面马上就可以逸出光电子，出现光电效应。当在金属外面加一个闭合电路，这些逸出的光电子都到达阳极便形成这里说的的光电流。不加电源也会出现电流，若加逆向电源，会减小光电流。正向电流会增大光电流。

故此当入射光强度增大时，按照光子假设，入射光的强度（即单位时间内通过单位垂直面积的光能）决计划于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，于是，光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，饱和电流也随之增大。

正向饱和公式是y=sin(wx+b) 则反向饱和公式是y=cos(wx+b)

调节外接电源的电压，后电路中电流大小不在增大，这个时候的电流就叫做正向饱和电流。它的大小与外接电源无关，只与光的光强相关， 也应该与金属材的选择相关

饱和系数：ku=ac/ab当励磁电流较小时，因为磁通较小，电机磁路没有饱和，空载特性呈直线（故将他延长后的射线称为（气隙线）

is为pn结的反向饱和电流 , Ut=KT/q .公式推导按照PN结电流方程I=Is[exp(qVbe/KT)-1]。

二极管的反向电流很小，经常称为结束电流。因为理想二极管的反向电流，比如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流，该电流是少子的扩散电流，与反向电压无关，即是这里说的“饱和”的（不随电压而改变），故此，又称为反向饱和电流。

饱和光电流：

金属受到光照时，金属中电子吸收光子并利用这个光子的能量脱离金属中正电荷的束缚飞出，这样的情况称为光电效应。由光电效应所出现的电流称为光电流。饱和光电流是在一定频率与强度的光照射下的大光电流。

光电流：某种光电器件因为光电效应或其他效可以在受到光照（涵盖可见光和不可见光）的情况下会出现电子，并输出电流且电流大小与光强成正比。饱和光电流：光强到一定程度，这个器件饱和了，不可以再输出更高的电流，这个时候的电流就叫饱和光电流。

一个光电池或者光电元件，当光线照射时出现导通或者发电情况，随着光线强度的增多电流也增多。当继续增多光线强度，而电流不可以再增多的时候刻，就叫做饱和光电流。