电容电荷量公式，电容电压的计算公式微分

1. Q=It(这当中I是电流,单位A ,t是时间,单位s)

2. Q=ne(这当中n为整数,e指元电荷,e=1.6021892×10库仑)

3. Q=CU (这当中C指电容,U指电压)

C=Q/U，即电容=电荷量/电压。

但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εrS/4πkd 。这当中，εr是相对介电常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。

常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为极板间介质的介电常数，ε=εrε0，ε0=1/4πk,S为极板面积，d为极板间的距离）。

某些数字万用表具有测量电容的功能，其量程分为2023p、20n、200n、2μ和20μ五档。测量时可将已放电的电容两引脚直接插入表板上的Cx插孔，选取一定程度上的量程后就可读取显示数据。

2023p档，宜于测量小于2023pF的电容；20n档，宜于测量2023pF至20nF当中的电容；200n档，宜于测量20nF至200nF当中的电容；2μ档，宜于测量200nF至2μF当中的电容；20μ档，宜于测量2μF至20μF当中的电容。

经验证明，有部分型号的数字万用表（比如DT890B+）在测量50pF以下的小容量电容器时误差很大，测量20pF以下电容基本上没有参考价值。这个时候可采取串联法测量小值电容。

方式是：先找一只220pF左右的电容，用数字万用表测出实际上际容量C1,然后把待测小电容与之并联测出其总容量C2，则两者之差（C1－C2）即是待测小电容的容量。用此法测量1～20pF的小容量电容很准确。

这个要用到微积分我们清楚储存的电荷量q=cu，能量w=qtdw=d（qt）=d（cut）=cu*dtdw/dt=cuu为t的函数，即u（t）两边去求原函数得w=(1/2)c(u^2)

在交流电路中电容中的电流的计算公式：

I=U/Xc

Xc=1/2πfC

I=2πfCU

f：交流电频率

U：电容两端交流电电压

C：电容器电容量

在直流电路中电容中上的电量：Q=CU，如电容器两端电压不变，电容上的电量也不变，电容中就没有电流流过。

那就是电容的通交流隔直流。

电容电流公式推导？

公式：I＝P/（根3×U），I表示电流，单位“安培”（A）；P表示功率，单位：无功“千乏”（Kvar），有功“千瓦”（KW）；根3约等于1.732；U表示电压，单位“千伏”（KV）。I＝40/（1.732×10）（10KV的电容），I＝2.3（A）。I＝40/（1.732*0.4）（0.4KV的电容），I＝57.7（A）。

单相启动电容公式怎么推导出来的？

公式推导需了解高斯定理中一个常常会用到的推论:无限大的带电平面周围的场强大小公式:E=4*3.14k*a/b(这当中,a是均匀带电平面的电荷面密度,b是真空中的介电常数,与电容公式分子中的那个常数是一个类型,只不过电容当中不是真空,这个常数是一个修正值) 既然，如此那，,根据电容的定义完全就能够了解的清楚:C=Q/U,这当中U是两极板间的电势差,把两极版当中看成是匀强电场,则U=E*d,d是两极板当中的距离,而E用上面的公式代入,Q=a*S(为电容极板的面积,注:面电荷密度*面积=电荷量),便是现在的电容公式,至于4k*3.14是什么含义,3.14是圆周率的近似值,高斯定理的严格证明中,用到数学中的积分,而3.14在高等数学中是一个常见的常数.4k也是一个常数,具体意义只可在本质的推导过程反映.

电容电流的微分公式为C*(du/dt)，既然，如此那，电容电压的积分公式是咋推导出来的求过程？

把这个式子两边取积分完全就可以够i(t)=C*du/dt两边从时间0到t积分，得到∫(从0到t)i(t)dt=C(u-u(0))

电容阻抗计算公式推导？

容抗公式：Xc＝1/ωc

(100+j200-j400)/(100+j200)*(-j400)=-32+24j。这个就是复数的计算，反复变形完全就能够算出来。实验证明，容抗和电容成反比，和频率也成反比。假设容抗用Xc表示，电容用C表示，频率用f表示，既然，如此那，正弦交流电下的容抗Xc=1/(2πfC)

Xc = 1/（ωC）= 1/（2πfC）

Xc-电容容抗值；欧姆

q等于cu公式推导？

由电容定义式C=Q/u Q=CU

在交流电路中电容中的电流的计算公式：

I=U/Xc

Xc=1/2πfC

I=2πfCU

f：交流电频率

U：电容两端交流电电压

C：电容器电容量

在直流电路中电容中上的电量：Q=CU，如电容器两端电压不变，电容上的电量也不变，电容中就没有电流流过。

那就是电容的通交流隔直流。

电容器Q容量Kvar换算C容值uF公式。

一个电容器，假设带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U。

电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即：C=εS/4πkd。这当中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。而常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。）

大多数情况下由公式C=Q/U得出，这当中Q是电容器两极板上电荷量，U是两极板间电势，或者用决定式C=§S/4πkd，这当中§是极板的材料系数，S是两极板的正对面积，k是常系数，d是两极板当中距离

电容C=电荷量Q除以电势差U

按照电容储存电量的公式为Q＝CxU。那就是说要增多电容的储量，就可以增多容量也可以提升电压。例如把1000μF的电容用1V电压充电和把1μF的电容用1000V的电压充电，这两个电容所储存的电荷量差不多的。而且，这个电压是没有上限的。我们平日间所说的电容耐压是指制造电容材料对电压的耐受能力，与电容属性无关。

目前举一个实例，我们把一个470μF、450V的电容用5V电压去充电，当充电电流一步一步为零时（不考虑漏电），既可觉得充滿了。

用另一个同样规格的电容把它接到400V电路里，电流为零时也可以觉得是充滿了。

反之就清楚电容是否有电。