磁场强度和磁感应强度的公式，磁感应强度的计算公式是什么意思

计算公式：

B=F/IL=F/qv=E/v =Φ/S

F：洛伦兹力或者安培力；

q：电荷量；

v：速度；

E：电场强度；

Φ（=ΔBS或BΔS，B为磁感应强度，S为面积）：磁通量；

S：面积；

L：磁场中导体的长度。

定义式：F=ILB。

表达式：B=F/IL。

扩展资料：

磁感应强度是指描述磁场强弱和方向的物理量是矢量，经常会用到符号B表示，国际通用单位为特斯拉（符号为T）。磁感应强度也被称为磁通量密度或磁通密度。

在物理学中磁场的强弱使用磁感应强度来表示，磁感应强度越大表示磁感应越强。磁感应强度越小，表示磁感应越弱。

磁感应强度的计算公式为B=F/IL=F/qv=E/v =Φ/S这当中在磁场中垂直于磁场方向的通电导线所受的安培力为F，电流大小为I，而导线长度为L。注意:

1、利用霍尔效应，测定磁感应强度。将导体放在x轴方向的匀强磁场中，并通有沿y轴方向的电流时，在导体的上下两侧产生电势差，这个情况称为霍尔效应，利用霍尔效应的原理完全就能够制造磁强计，测量磁感应强度。

2、利用动力学方式测定磁感应强度。应用通电导体在磁场中受到安培力的原理，按照牛顿运动定律建立动力学方程，以此得出磁感应强度。

3、利用传感器测量磁感应强度。传感器是将非电学物理量，如位移加速度，压力温度，流量升强，光照强度等等转换成电学量，如电压电流等的一种元件，传感器输入的非电学物理量，输出的反而电学量。传感器应用的一个基本思想是转化思想，即利用传感器把某些很难直接测量的物理量转化为比较容易测量的电学量。

磁感应强度（B）（1）定义：在磁场中垂直于磁场方向的通电导线，所受到的磁场力F跟电流强度I和导线长度L的乘积IL的比值，叫做通电导线所在处的磁感应强度，用B表示。

（2）公式：B=F/(I·L)（3）矢量：B的方向与磁场方向，即小磁针N极受力方向一样。

（4）单位：特斯拉（T）1T=1N/(A·m)，即垂直磁场方向放置的长1m的导线，通入电流为1A，假设受的磁场力为1N，则该处的磁感应强度B为1T.

计算公式：B=F/IL=F/qv=E/v =Φ/S电荷量为q，速度为v，电场强度为E，磁通量为Φ，S为面积。注意:1、磁场中某位置的磁感应强度的大小和方向是客观存在的，与放入的导线的电流有多大，导线有多长无关 。故此，不可以说B与F或者B月IL的乘积成反比。2、在同一磁场的某处，保持导线与磁场方向垂直，不管电流I和长度L如何变化，磁场力F与IL的乘积的比值是不变的。但是，在不一样的位置，大多数情况下不一样。

磁场强度的计算公式：H = N × I / Le 式中：H为磁场强度，单位为A/m；N为励磁线圈的匝数；I为励磁电流（测量值），单位位A；Le为测试样品的有效磁路长度，单位为m。

磁场强度的计算公式：H = N × I / Le。

式中：H为磁场强度，单位为A/m；N为励磁线圈的匝数；I为励磁电流（测量值），单位位A；Le为测试样品的有效磁路长度，单位为m。

单位正点磁荷在磁场中所受的力被称为磁场强度H。后来安培提出分子电流假说，觉得依然不会存在磁荷，磁情况的实质是分子电流。自此磁场的强度多用磁感应强度B表示。但是，在磁介质的磁化问题中，磁场强度H作为一个导出的辅助量也还是发挥着重要作用。

磁场强度的计算公式：H = N × I / Le。

式中：H为磁场强度，单位为A/m；N为励磁线圈的匝数；I为励磁电流（测量值），单位位A；Le为测试样品的有效磁路长度，单位为m。

单位正点磁荷在磁场中所受的力被称为磁场强度H。后来安培提出分子电流假说，觉得依然不会存在磁荷，磁情况的实质是分子电流。自此磁场的强度多用磁感应强度B表示。但是，在磁介质的磁化问题中，磁场强度H作为一个导出的辅助量也还是发挥着重要作用。

扩展资料

一个静止的电子具有静止电子质量和单位负电荷，因为这个原因对外出现引力和单位负电场力作用。当外力对静止电子加速并促使其运动时，该外力不但要为电子的整体运动提供动能，还需要为运动电荷所出现的磁场提供磁能。

可见，磁场是外力通过能量转换的方法在运动电子内注入的磁能物质。电流出现磁场或带负电的点电荷出现磁场都是非常多运动电子出现磁场的宏观表现。

同样道理，由一个运动的带正电的点电荷所出现的磁场是这当中过剩的质子从外力所获取的磁能物质的宏观反映。但其磁能物质又分别依详细内容记录于这当中带有电荷的夸克。