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霍尔效应公式,霍尔效应kb是什么

时间:2022-10-13来源:华宇网校作者:国考题库 公务员网课
霍尔效应公式

霍尔效应公式?

F=qE+qvB/c(Gauss单位制),霍尔效应是电磁效应的一种,这种情况是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。

当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子出现偏转,垂直于电流和磁场的方向会出现一附加电场,以此在半导体的两端出现电势差,这种情况就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。

霍尔效应的公式:UH=KHISBKH为霍尔元件的霍尔系数,UH为霍尔电势差,IS为流过霍尔元件的电流,B为垂直于霍尔片的磁感应强度。

霍尔效应实验中kb怎么求?

霍尔效应用公式表示为:E=KBIcosθ。E为霍尔效应电压,单位为伏特(V);I是霍尔器件的工作电流,单位为安培(A);B是外部磁场的磁感应强度,单位为特斯拉(T)θ为I与B的垂直的视角的偏差,单位可以是的视角(°)或弧度(rad)。K为霍尔器件的灵敏度是常数;其单位为:V/(A.T)。大多数情况下开关型的霍尔灵敏度是指原件本身的磁开启和关闭点,表示的单位大大多是两种,高斯(Gauss)与毫特斯拉(mT),10Gauss=1mT线性霍尔的灵敏度是指单位磁场变化时其输出电压的变化,大多数情况下用毫伏/高斯(mV/Gauss)或者毫伏/毫特斯拉(mV/mT)表示,换算参照开关型

霍尔效应推导公式?

霍尔效应公式是F=qE+qvB/c(Gauss 单位制),霍尔效应是电磁效应的一种,这种情况是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。

当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子出现偏转,垂直于电流和磁场的方向会出现一附加电场,以此在半导体的两端出现电势差,这种情况就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。

霍尔效应公式推导:

设载流子的电荷量为q,沿电流方向定向运动的平均速率为v,单位体积内自由移动的载流子数为n,垂直电流方向导体板的横向宽度为a,

则电流的微观表达式为I=nqadv (1)

载流子在磁场中受到的洛伦兹力f=qvB载流子在洛伦兹力作用下侧移,两个侧面产生电势差载流子受到的电场力为 F=qU(H)/a当达到稳定状态时洛伦兹力与电场力平衡,其实就是常说的qvB=qU(H)/a (2)

由(1)(2)式得 U(H)=IB/(nqd)

(3) 式中的nq与导体的材料相关,针对确定的导体,nq是常数。

令 k=1/(nq) 则上式可写为 U(H)=kIB/d (4)

霍尔系数公式剖析解读?

霍尔系数计算公式是k=1/nq,霍尔效应(Hall effect)是指当固体导体放置在一个磁场内,且有电流通过时,导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边,继而出现电压(霍尔电压)的情况。通过霍尔电压的极性,可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子(自由电子)之运动所导致。霍尔效应于1879年由埃德温·赫伯特·霍尔(Edwin Herbert Hall)发现。除导体外,半导体也可以出现霍尔效应,而且,半导体的霍尔效应要强于导体。

霍尔效应表达式,物理量?

霍尔效应公式:η=f/nF。当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子出现偏转,垂直于电流和磁场的方向会出现一附加电场,以此在半导体的两端出现电势差,这种情况就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。

霍尔元件测磁场的公式?

可以通过公式B=Uh/KIh得出。

霍尔效应该从实质来说是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而导致的偏转所出现的。当带电粒子(电子或空穴)被管束在固体材料中,这样的偏转就致使在垂直于电流和磁场的方向上出现正负电荷的累积,以此形成附加的横向电场。若在方向通以电流,在方向(垂直纸面向外)加磁场,则在方向即试样、电极两侧就启动累积异号电荷而出现对应的附加电场。电场的指向主要还是看试样的导电类型。明显,该电场是阻止载流子继续向侧面偏移的。

霍尔效应口诀?

霍尔效应公式是F=qE+qvB/c(Gauss 单位制),霍尔效应是电磁效应的一种,这种情况是美国物理学家霍尔(E。H。Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。

当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子出现偏转,垂直于电流和磁场的方向会出现一附加电场,以此在半导体的两端出现电势差,这种情况就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。

口决是:左手力,右手电,手心迎着磁感线。

khis的值大多数情况下为多少?

霍尔元件灵敏度KH大多数情况下在0.1~0.5mV/(mA.G)

霍尔效应的公式:UH=KHISBKH为霍尔元件的霍尔系数,UH为霍尔电势差,IS为流过霍尔元件的电流,B为垂直于霍尔片霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比,而与霍尔元件的厚度δ成反比,即KH=RH/δ,单位为mV/(mA.G),它一般可以表征霍尔常数。此外假设是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值,详细还得看实验用具。实质上的霍尔元件,一般分为开关型或线性型两种,开关型大多数情况下不标称灵敏度,而线性型一般电流I由内部电路决定。因为这个原因,灵敏度的定义出现了变化。线性型霍尔元件中,从原理上看,由VH=KHIB变为VH=KHB,单位变为mV/G,这个时候灵敏度大多数情况下在1~5mV/G 左右。

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