mos管功率计算公式，MOS管电流公式
mos管功率计算公式？
MOS管自己的功率P=VDS*ID，VDS=ID*Rds，Rds是MOS管得导通电阻，可以通过查看芯片手册得知RDS。给mos管两端加上直流电，然后让mos导通，看看耗电就行了。
mos管的电流公式怎么得出？
公式：PD=TJ-TC/RθJC，当功率MOSFET流过大的连续漏极电流时，出现大功耗为PD因为这个原因，二式联立，可以得到大的连续漏极电流ID的计算公式：ID=TJ- Tc （1）Ip =Rac●Rps（on）。 T/mx）这当中，RDS（ON）为在大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；一般，硅片允许的大工作结温为150℃。
上面说的的电流是根据大结温的计算值；其实，它还需要受到封装的限制。在数据表中，不少公司标示的是根据封装限制大的连续漏极电流、而有部分公司标示的是根据大结温的电流，既然如此那，它一般会数据表注释中进行说明，并示出根据封装限制的大的连续漏极电流。
mos管速度饱和电流公式？
直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然很快）
先得出传递函数，可以用节点电压法：
设C1上端的节点电压为U1,运放同相端电压为U+,反相端电压为U-,则：
u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0 (1)
u+=u1*R3/(R3+1/SC2) =u1*jwT32/(jwT32+1)（2）
式中，w=2*3.14*f 是角频率
T32=R3*C2是同相端时间常数
u-=u0*R/(Rf+R) （3）
设运放放大倍数是无穷大，则有
u+=u-
即（2）=（3）
u1*jwT32/(jwT32+1)=u0*R/(Rf+R)
u1=u0*K(jwT32+1) /jwT32 (4)
式中，令：K=R/(R+Rf） 为负反馈系数
(4)代入(1)
u0*K(jwT32+1) /(jwT32 )*(1/R1+jwC1+jwC2(1+T32)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0
u0*[K(jwT32+1) /(jwT32 )*(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1]=uiR3
u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32
整理一下写为：
u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32
2. 由传递函数转折频率 fL,fH，得出系数T,q
按照 u0*[(*jw)^2+ B*jw+C]=ui*R3jwT32
令特点多项式(jw)^2+ B*jw+C)=0
方程的两个根应为：w1= 2*3.14*20MHZ ，
w2=2*3.14* 30MHZ，
对应的转折频率就为20Mhz和30Mhz，即
(W-2*3.14*30M)(W-2*3.14*20M)=0
W^2-2*3.14*50M*W+4*3.14^2*600*M^2=0
得
B= -2*3.14*50M
C=4*3.14^2*600*M^2
待回方程 u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32
即u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32
对应系数列出方程，便可的 电阻电容参数。
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，
晶体管迁移率=晶体管实质上迁移数量÷晶体管计划迁移数量
mos管eas怎么计算？
EAS ：单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的大雪崩击穿能量.
EAS计算公式请看下方具体内容：
EAS = 1/2*L*I*I[V(BR)DSS/(V(BR)DSS-VDD)]
（EAS=雪崩能量，L=電感值，I=電感峰值電流，BVDSS=雪崩擊穿電壓，VDD=電源電壓）
mos管gm计算公式？
MOS管的放大能力用gm(跨导)来表示，gm=ΔId/ΔUbe。
mos管vds计算公式？
MOS的压降是指MOSFET饱和导通时，VDS=I*Ron的电压。
Mos管驱动电流计算方式？
第一种:可以使用请看下方具体内容公式估算：Ig=Qg/Ton这当中：Ton=t3-t0≈td(on)+trtd(on)：MOS导通推后时间，从有驶入电压上升到百分之10启动到VDS下降到其幅值百分之90时间。Tr：上升时间。输出电压VDS从百分之90下降到其幅值百分之10时间Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可以在datasheet中找到） 第二种：（第一种的变形）密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压； 第三种：以IR的IRF640作为例子，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后基本上水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你期望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A， 这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间基本上没有电流，平均值很小，但假设驱动芯片不可以输出这个峰值，管子的开通就可以变慢。
mos管电阻公式？
MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通推后时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 有关： 通态电阻RDS（ON）
通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断推后时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100
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