mos管栅极电压表示，mos管分压电路

MOS的阈值电压是一个范围值的。大多数情况下情况下与耐压相关，比如几十V的耐压大多数情况下为1-2V，200v以内的大多数情况下为2-4V，200V以上的大多数情况下为3-5V。 MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。这个时候器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需的栅极对source偏置电压。假设栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

阈值电压一般将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不一样的器件时具有不一样的参数。

如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

MOSFET放大器栅极偏置电压是:注意，此分压器公式仅确定两个偏置电阻的比率， R1 和 R2 而不是他们的实质上值。

除开这点还期望使这两个电阻的值尽量大，以减小它们的 I 2 * R 功率损耗，并增多mosfet放大器的输入电阻。那就是管分压的计算方式了

1、利用两个源测量单元分别与MOS晶体管的漏极及衬底相连，运算放大器的输出端与MOS晶体管的栅极相连，运算放大器的负输入端及直流电流源的负极均与MOS晶体管的源极相连构成的开启电压测试系统；

2、在进行MOS晶体管的开启电压测试时，向运算放大器的正输入端输入0V电压，通过直流电流源向MOS晶体管的源极提供大小等于目标电流的电流，后面通过源测量单元向MOS晶体管的漏极输入设定的电压并同时测量运算放大器的输出端与MOS晶体管的栅极当中的电压就可以取得MOS晶体管的开启电压，测量过程操作简单，提升了测量的精准度，缩短了测试确定开启电压的过程所需时间。

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安大300安.正常使用不可以超越75伏. MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿.

一般在理想状况下，假设mos管关断时是不流过电流的。但要注意到漏/源与衬底当中是两个pn结。就算mos管没有沟道，漏源当中还是有反向的饱和电流，那就是这里说的的漏电流。 因为漏电流的存在，整个电路的静态功耗会带来一定增多。

　　泄漏电流主要是亚阈值电流，pn结反向饱和电流和栅极泄露电流组成，而亚阈值电流和pn结反向饱和电流占主要，温度升高，阈值电压降低，亚阈值电流增大，同时pn结反向饱和电流与温度成指数正比关系，既然如此那，温度升高，方向饱和电流加大。温度升高，热载流子效应加强，栅极泄露电流加大。总来说之，泄露电流随温度升高而升高，详细公式，找本半导体物理器件的书看看。

假设不抠字眼，差不多的，非要钻牛角尖，开关阈值已经是确定的接法了，而阈值电压，对地还是对什么的电压还没有确定。

MOS管栅极加有电压时导通，栅极失去电压时结束。使用MOS管应注意，其完全导通栅极所需的电压非常高，假设栅极电压低可能会造成发热。

（一）PMOS工作原理

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。除开这点P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值大多数情况下偏高，要求有非常高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管-晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加上器件跨导小，故此，工作速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）产生后面，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有部分中规模和小规模数字控制电路仍采取PMOS电路技术。

（二）NMOS工作原理

vGS对iD及沟道的控制作用

（1） vGS=0 的情况

提高型MOS管的漏极d和源极s当中有两个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时，就算加上漏-源电压vDS，而且，不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，故此，这时漏极电流iD≈0。

（2） vGS0 的情况

若vGS0，则栅极和衬底当中的SiO2绝缘层中便出现一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。

排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不可以移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。